券商研報顯示，雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認識到SiC和GaN相對于傳統Si材料的優(yōu)點(diǎn)，但是由于制造設備、制造工藝與成本的劣勢，多年來(lái)只是在小范圍內得到應用，無(wú)法挑戰Si基器件的統治地位，但是隨著(zhù)5G 、汽車(chē)等新市場(chǎng)出現，SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用加速。

隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛等新興應用有望擾動(dòng)半導體競爭格局，半導體投資具有確定的長(cháng)期投資價(jià)值，但是我國是半導體市場(chǎng)自給率較低，這也為我國半導體國產(chǎn)化提供了更多的機會(huì )，尤其是在貿易摩擦背景下，半導體國產(chǎn)替代需求日益堅定，而當下火熱的科創(chuàng )浪潮也將成為半導體行業(yè)投資行情的核心驅動(dòng)力。

目前碳化硅是發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎材料，碳化硅半導體材料在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射器件等方面具有巨大的應用潛力。目前導電型碳化硅襯底片材料主要應用于新能源汽車(chē)、充電站、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域；半絕緣型碳化硅襯底片則主要應用于5G通訊基站、大功率相控陣雷達、衛星通訊等領(lǐng)域。

得碳化硅者得天下

華創(chuàng )證券認為，“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機”。碳化硅材料實(shí)現量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動(dòng)國內5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。

但從差距上看，我國在碳化硅領(lǐng)域還沒(méi)有形成完整的產(chǎn)業(yè)，國內市場(chǎng)上大部分碳化硅功率器件依賴(lài)進(jìn)口，形成國際大廠(chǎng)壟斷局面。

中泰證券認為，雖然學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界很早認識到SiC和GaN相對于傳統Si材料的優(yōu)點(diǎn)，但是由于制造設備、制造工藝與成本的劣勢，多年來(lái)只是在小范圍內得到應用，無(wú)法挑戰Si基器件的統治地位，但是隨著(zhù)5G 、汽車(chē)等新市場(chǎng)出現，SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用加速；隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步， SiC 與 GaN 器件與模塊在成本上已經(jīng)可以納入備選方案內，需求拉動(dòng)疊加成本降低，SiC/GaN的時(shí)代即將迎來(lái)。

碳化硅概念股：臺基股份、揚杰科技、天通股份、三安光電、天富能源、海特高新、露笑科技